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Mo-1 / TZM ≥99,95 % · plane & rotative · ASTM B386

Cible de pulvérisation en molybdène

Les cibles de pulvérisation en molybdène servent de matériau d'électrode et de conducteur dans les écrans plats, les cellules solaires à couche mince et de couche barrière dans les semi-conducteurs — grâce à leur point de fusion élevé, leur forte conductivité, leur faible résistivité et leur bonne résistance à la corrosion. Planes et rotatives, en Mo pur (Mo-1) et TZM, avec contrôle serré du grain, de la rugosité et de la planéité.

Mo-1 / TZM ≥99,95 %plane & rotativeRa ≤0,4 µm · planéité <4 µmASTM B386
Cible de pulvérisation en molybdène
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Cible de pulvérisation en molybdène – Photos

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Spécifications

Dimensions & données techniques

Plage de fabrication

TypeDimensions (mm)
Cible rotative (Ø ext × Ø int × L)Φ140 – 180 × Φ125 – 135 × 100 – 3300
Plane – rectangulaire (L × l × ép.)10 – 3000 × 10 – 800 × 1,0 – 50,8
Plane – ronde (Ø × ép.)Ø10 – 1000 × 1,0 – 100

Paramètres clés

CompositionMolybdène (Mo-1 · TZM)
Pureté≥ 99,95 %
Densité10,2 g/cm³
Taille de grain≤ 100 µm² (ou selon prescription)
RugositéRa ≤ 0,4 µm
Tolérance de planéité< 4 µm
NormeASTM B386

Propriétés physiques & chimiques

Numéro atomique42
Numéro CAS7439-98-7
Masse atomique95,94 g/mol
Point de fusion2620 °C
Point d'ébullition4639 °C
Densité (20 °C)10,22 g/cm³
Structure cristallinecubique centré
Dilatation thermique (20 °C)5,2 × 10⁻⁶ m/(m·K)
Conductivité thermique (20 °C)142 W/(m·K)
Chaleur spécifique (20 °C)0,25 J/(g·K)
Conductivité électrique (20 °C)17,9 × 10⁶ S/m
Résistivité (20 °C)0,056 (Ω·mm²)/m
Procédé de fabrication

Comment c'est fabriqué

01

Mélange des poudres

Poudre de Mo mélangée à la nuance.

02

Pressage isostatique

Pressage isostatique à froid.

03

Frittage

Four de frittage moyenne fréquence.

04

Usinage & finition

Usinée à la rugosité / planéité.

Applications

Où Cible de pulvérisation en molybdène est utilisé

01

Écrans plats

Matériau d'électrode et de conducteur pour FPD et TFT-LCD.

02

Solaire couche mince

Couches de contact arrière et d'électrode pour le PV couche mince.

03

Semi-conducteurs

Matériau de couche barrière pour composants à semi-conducteurs.

04

Couches fonctionnelles

Cibles pour capteurs, FED et couches minces fonctionnelles.

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