Mo-1 / TZM ≥99,95 % · plano y rotativo · ASTM B386

Blanco de pulverización de molibdeno

Los blancos de pulverización de molibdeno sirven como material de electrodo y conductor en pantallas planas y células solares de capa fina, y como capa barrera en semiconductores, gracias a su alto punto de fusión, alta conductividad, baja resistividad y buena resistencia a la corrosión. Planos y rotativos, en Mo puro (Mo-1) y TZM, con control estricto de grano, rugosidad y planitud.

Mo-1 / TZM ≥99,95 %plano y rotativoRa ≤0,4 µm · planitud <4 µmASTM B386

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Blanco de pulverización de molibdeno – Fotos

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Especificaciones

Dimensiones y datos técnicos

Rango de fabricación

Tipo	Dimensiones (mm)
Blanco rotativo (Ø ext × Ø int × L)	Φ140 – 180 × Φ125 – 135 × 100 – 3300
Plano – rectangular (L × An × esp.)	10 – 3000 × 10 – 800 × 1,0 – 50,8
Plano – redondo (Ø × esp.)	Ø10 – 1000 × 1,0 – 100

Parámetros clave

Composición	Molibdeno (Mo-1 · TZM)
Pureza	≥ 99,95 %
Densidad	10,2 g/cm³
Tamaño de grano	≤ 100 µm² (o según prescripción)
Rugosidad	Ra ≤ 0,4 µm
Tolerancia de planitud	< 4 µm
Norma	ASTM B386

Propiedades físicas y químicas

Número atómico	42
Número CAS	7439-98-7
Masa atómica	95,94 g/mol
Punto de fusión	2620 °C
Punto de ebullición	4639 °C
Densidad (20 °C)	10,22 g/cm³
Estructura cristalina	cúbica centrada en el cuerpo
Dilatación térmica (20 °C)	5,2 × 10⁻⁶ m/(m·K)
Conductividad térmica (20 °C)	142 W/(m·K)
Calor específico (20 °C)	0,25 J/(g·K)
Conductividad eléctrica (20 °C)	17,9 × 10⁶ S/m
Resistividad (20 °C)	0,056 (Ω·mm²)/m

Proceso de fabricación

Cómo se fabrica

Mezcla de polvos

Polvo de Mo mezclado a la calidad.

Prensado isostático

Prensado isostático en frío.

Sinterización

Horno de sinterización de media frecuencia.

Mecanizado y acabado

Mecanizado a la rugosidad / planitud.

Aplicaciones

Dónde se utiliza Blanco de pulverización de molibdeno

Pantallas planas

Material de electrodo y conductor para FPD y TFT-LCD.

Solar de capa fina

Capas de contacto posterior y electrodo para FV de capa fina.

Semiconductores

Material de capa barrera para dispositivos semiconductores.

Capas funcionales

Blancos para sensores, FED y capas finas funcionales.

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