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Mo-1 / TZM ≥99,95 % · planar & rotierend · ASTM B386

Molybdän-Sputtertarget

Molybdän-Sputtertargets dienen als Elektroden- und Leitermaterial in Flachbildschirmen, Dünnschicht-Solarzellen und als Barriereschicht in Halbleitern — dank hohem Schmelzpunkt, hoher Leitfähigkeit, niedrigem spezifischen Widerstand und guter Korrosionsbeständigkeit. Planar und rotierend, in reinem Mo (Mo-1) und TZM, mit enger Korn-, Rauheits- und Ebenheitskontrolle.

Mo-1 / TZM ≥99,95 %planar & rotierendRa ≤0,4 µm · Ebenheit <4 µmASTM B386
Molybdän-Sputtertarget
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Spezifikationen

Maße & technische Daten

Fertigungsbereich

TypMaße (mm)
Rotierendes Target (AD × ID × L)Φ140 – 180 × Φ125 – 135 × 100 – 3300
Planar – rechteckig (L × B × D)10 – 3000 × 10 – 800 × 1,0 – 50,8
Planar – rund (Ø × D)Ø10 – 1000 × 1,0 – 100

Kennwerte

ZusammensetzungMolybdän (Mo-1 · TZM)
Reinheit≥ 99,95 %
Dichte10,2 g/cm³
Korngröße≤ 100 µm² (oder nach Vorgabe)
RauheitRa ≤ 0,4 µm
Ebenheitstoleranz< 4 µm
NormASTM B386

Physikalische & chemische Eigenschaften

Ordnungszahl42
CAS-Nummer7439-98-7
Atommasse95,94 g/mol
Schmelzpunkt2620 °C
Siedepunkt4639 °C
Dichte (20 °C)10,22 g/cm³
Kristallstrukturkubisch-raumzentriert
Wärmeausdehnung (20 °C)5,2 × 10⁻⁶ m/(m·K)
Wärmeleitfähigkeit (20 °C)142 W/(m·K)
Spezifische Wärme (20 °C)0,25 J/(g·K)
Elektrische Leitfähigkeit (20 °C)17,9 × 10⁶ S/m
Spezifischer Widerstand (20 °C)0,056 (Ω·mm²)/m
Produktionsprozess

So wird es gefertigt

01

Pulvermischung

Mo-Pulver auf Güte gemischt.

02

Isostatisches Pressen

Kaltisostatisches Pressen.

03

Sintern

Mittelfrequenz-Sinterofen.

04

Bearbeiten & Finish

Auf Rauheit / Ebenheit bearbeitet.

Anwendungen

Wo Molybdän-Sputtertarget eingesetzt wird

01

Flachbildschirme

Elektroden- und Leitermaterial für FPD und TFT-LCD.

02

Dünnschicht-Solar

Rückkontakt- und Elektrodenschichten für Dünnschicht-PV.

03

Halbleiter

Barriereschicht-Material für Halbleiterbauelemente.

04

Funktionsschichten

Targets für Sensoren, FED und funktionale Dünnschichten.

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